Последнее обновление: 2021-10-08 09:40:02
В среднем пользователю достаточно 3 ГБ оперативной памяти, пусть 4 ГБ (с учетом прожорливости самой системы Android). Для флагманского смартфона неплохо иметь 6 ГБ ОЗУ — этого хватит, чтобы держать наготове десяток приложений, включая браузер с несколькими вкладками, крутую игру и Instagram.
В мобильных устройствах на 6-8 Гб ОЗУ останавливаются сейчас большинство производителей. Именно столько оперативной памяти нужно для смартфона в 2021-м году или планшета, чтобы выполнять все задачи, поставленные перед Android- и iOS-приложениями.
ROM — это место хранения. Все программы и OS , которые и представляют собой программное обеспечение на устройстве, хранятся в ROM . Ваши данные также хранятся в ROM . ... Когда Вы включаете ваше устройство, программы из ROM загружаются в RAM и уже там, в RAM , работают.
ROM (англ. Read Only Memory — постоя́нное запомина́ющее устро́йство) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — энергонезависимая память, используется для хранения различной информации. Часто используется английский термин ROM (Read-Only Memory). ... ROM используется в микроконтроллерах для хранения кода, а также для других целей.
В первую очередь NAND флеш-память применяется во всевозможных мобильных носителях данных и устройствах, требующих для работы больших объёмов хранения. В основном, это USB-брелоки и карты памяти всех типов, а также мобильные устройства, такие, как телефоны, фотоаппараты, медиаплееры.
Информационная ёмкость карт флеш-памяти может достигать 2 Тб. Информация, записанная на флеш-память, может храниться очень длительное время (от 20 до 100 лет) и способна выдерживать механические нагрузки (в 5–10 раз превышающие предельно допустимые для жёстких дисков).
Преимущества FLASH-памяти: Для хранения данных не требуется дополнительной энергии, то есть flash-память является энергонезависимым устройством. ... Flash-микросхема позволяет многократно (но не бесконечно) перезаписывать данные, т. е. flash-память – перезаписываемое устройство хранения данных.
Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области ("карман") полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора.
Как работает флэш-память Для программирования ячейки напряжение подается на управляющий затвор, что притягивает электроны вверх. Создается электрическое поле, позволяющее электронам проникнуть сквозь барьер из оксида к плавающему затвору.
NAND (англ. not and) — универсальный двухвходовый логический элемент, штрих Шеффера. NAND — тип флеш-памяти по принципу изменения информации в её ячейках.
Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры. Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора.